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IRFD224PBF
Vishay Siliconix
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Fiche technique
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4-DIP
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IRFD224

Numéro de produit DigiKey
IRFD224-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFD224
Description
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Référence client
Description détaillée
Canal N 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
630mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,1ohms à 380mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
260 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP
Boîtier
4-DIP (0,300po, 7,62mm)
Numéro de produit de base
IRFD224
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