Canal N 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
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IRFDC20

Numéro de produit DigiKey
IRFDC20-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRFDC20
Description
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFDC20 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,4ohms à 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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