IRFDC20PBF Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFDC20PBF
Numéro de produit DigiKey	IRFDC20PBF-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFDC20PBF
Description	MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Trou traversant 4-HVMDIP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	320mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,4ohms à 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	4-HVMDIP
Boîtier	4-DIP (0,300po, 7,62mm)
Numéro de produit de base	IRFDC20

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En stock: 5’495

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 2.39000	Fr. 2.39
10	Fr. 1.55200	Fr. 15.52
100	Fr. 1.07220	Fr. 107.22
500	Fr. 0.86718	Fr. 433.59
1’000	Fr. 0.80130	Fr. 801.30
2’000	Fr. 0.74591	Fr. 1’491.82
5’000	Fr. 0.73000	Fr. 3’650.00

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.