IRFL110 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

IRFL110 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFL110
Numéro de produit DigiKey	IRFL110-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	IRFL110
Description	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFL110 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	540mohms à 900mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	180 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IRFL110