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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IRFP27N60KPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRFP27N60KPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRFP27N60KPBF |
Description | MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 27 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4660 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 500W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 220mohms à 16A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (14)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | Fr. 3.58000 | Recommandation fabricant |
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1’659 | IPW60R190C6FKSA1-ND | Fr. 3.75000 | Similaire |
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | 88 | IPW60R190E6FKSA1-ND | Fr. 3.50000 | Similaire |
| IXFH26N60P | IXYS | 0 | 238-IXFH26N60P-ND | Fr. 9.41000 | Similaire |
| IXFH28N60P3 | IXYS | 0 | IXFH28N60P3-ND | Fr. 7.95000 | Similaire |
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