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Substituts disponibles:

Direct

IRFR120TRLPBF-BE3
Vishay Siliconix
En stock: 2’889
Prix unitaire : Fr. 2.53000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRFR120TRPBF
Vishay Siliconix
En stock: 6’244
Prix unitaire : Fr. 1.33000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRFR120TRPBF-BE3
Vishay Siliconix
En stock: 3’832
Prix unitaire : Fr. 2.50000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRFR120TRRPBF
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.93921
Fiche technique

Similaire

BUK7275-100A,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.72000
Fiche technique

Similaire

IRFR120NTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 4
Prix unitaire : Fr. 2.15000
Fiche technique

Similaire

IRFR120NTRPBF
Infineon Technologies
En stock: 9’649
Prix unitaire : Fr. 2.23000
Fiche technique

Similaire

IRFR120NTRRPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Similaire

IRFR120ZTRPBF
Infineon Technologies
En stock: 32’382
Prix unitaire : Fr. 1.37000
Fiche technique

Similaire

STD6NF10T4
STMicroelectronics
En stock: 769
Prix unitaire : Fr. 2.53000
Fiche technique
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IRFR9220TRLPBF
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IRFR120TRLPBF

Numéro de produit DigiKey
IRFR120LPBFTR-ND - Bande et bobine
IRFR120LPBFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFR120TRLPBF
Description
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 7,7 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRFR120TRLPBF Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
270mohms à 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
360 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DPAK
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IRFR120
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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.70000Fr. 1.70
10Fr. 1.09000Fr. 10.90
100Fr. 0.73860Fr. 73.86
500Fr. 0.58818Fr. 294.09
1’000Fr. 0.56059Fr. 560.59
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.45800Fr. 1’374.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.70000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.83770