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Équivalent paramétrique

IRFR320TRPBF
Vishay Siliconix
En stock: 3’125
Prix unitaire : Fr. 0.74000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRFR320TRPBF-BE3
Vishay Siliconix
En stock: 1’918
Prix unitaire : Fr. 1.93000
Fiche technique

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IRFR320TRRPBF
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.58097
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SIHFR320TR-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 482
Prix unitaire : Fr. 1.02000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SIHFR320TRL-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 2’784
Prix unitaire : Fr. 1.08000
Fiche technique
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SIHD5N80AE-GE3
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IRFR320PBF-BE3

Numéro de produit DigiKey
742-IRFR320PBF-BE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRFR320PBF-BE3
Description
N-CHANNEL 400V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 400 V 3,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
400 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,8ohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IRFR320
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.61466Fr. 1’843.98
6’000Fr. 0.59898Fr. 3’593.88
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.61466
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.66445