


IRL640SPBF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IRL640SPBF-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IRL640SPBF |
Description | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 37 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 200 V 17 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IRL640SPBF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 5 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±10V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 200 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 180mohms à 10A, 5V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB19N20LTM | onsemi | 642 | FQB19N20LTMCT-ND | Fr. 2.09000 | Similaire |
| FQB19N20TM | onsemi | 1’892 | FQB19N20TMCT-ND | Fr. 2.48000 | Similaire |
| IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | 1’581 | IRF640NSTRLPBFCT-ND | Fr. 1.62000 | Similaire |
| STB19NF20 | STMicroelectronics | 8’697 | 497-7941-1-ND | Fr. 1.59000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.28000 | Fr. 3.28 |
| 50 | Fr. 1.66680 | Fr. 83.34 |
| 100 | Fr. 1.51060 | Fr. 151.06 |
| 500 | Fr. 1.23710 | Fr. 618.55 |
| 1’000 | Fr. 1.14925 | Fr. 1’149.25 |
| 2’000 | Fr. 1.07542 | Fr. 2’150.84 |
| 5’000 | Fr. 1.03120 | Fr. 5’156.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.28000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.54568 |



