SI1033X-T1-GE3
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SI1033X-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI1033X-T1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI1033X-T1-GE3
Description
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 145mA 250mW Montage en surface SC-89 (SOT-563F)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
145mA
Rds On (max.) à Id, Vgs
8ohms à 150mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
250mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur
SC-89 (SOT-563F)
Numéro de produit de base
SI1033
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