
SI1410EDH-T1-E3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI1410EDH-T1-E3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI1410EDH-T1-E3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 2,9 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SC-70-6 |
Modèles EDA/CAO | SI1410EDH-T1-E3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 70mohms à 3,7A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 450mV à 250µA (min) | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 8 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±12V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 1W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | SC-70-6 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |



