SI1410EDH-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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SI1424EDH-T1-GE3
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SI1410EDH-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI1410EDH-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI1410EDH-T1-E3
Description
MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 2,9 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SC-70-6
Modèles EDA/CAO
SI1410EDH-T1-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
70mohms à 3,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
450mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SC-70-6
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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