SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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SI2308BDS-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI2308BDS-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI2308BDS-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2308BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2308BDS-T1-E3
Description	MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	156mohms à 1,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	190 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,09W (Ta), 1,66W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SI2308