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SI2318DS-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI2318DS-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI2318DS-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI2318DS-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2318DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2318DS-T1-E3 |
Description | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI2318DS-T1-E3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 540 pF @ 20 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 750mW (Ta) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 45mohms à 3,9A, 10V |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2318CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SI2318CDS-T1-GE3CT-ND | Fr. 0.48000 | Recommandation fabricant |
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | 57’455 | IRLML0040TRPBFCT-ND | Fr. 0.45000 | Similaire |
| RQ5H020TNTL | Rohm Semiconductor | 8’332 | RQ5H020TNTLCT-ND | Fr. 1.21000 | Similaire |
| RQ5H025TNTL | Rohm Semiconductor | 7’245 | RQ5H025TNTLCT-ND | Fr. 0.72000 | Similaire |
| RSR025N03TL | Rohm Semiconductor | 471 | RSR025N03TLCT-ND | Fr. 0.83000 | Similaire |
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