Name: SI2333DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2333DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.50807 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI2333DDS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2333DDS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2333DDS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2333DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2333DDS-T1-BE3
Description	P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1,2W (Ta), 1,7W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5A (Ta), 6A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	35 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1275 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta), 1,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 27’415

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine