SI3442CDV-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI3442CDV-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI3442CDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI3442CDV-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 8 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
27mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
335 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
6-TSOP
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.