SI3473DV-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
DG447DV-T1-E3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI3473DV-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI3473DV-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI3473DV-T1-E3
Description
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Référence client
Description détaillée
Canal P 12 V 5,9 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 7,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
33 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
6-TSOP
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.