Name: SI3476DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3476DV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: InStock

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SI3476DV-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI3476DV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3476DV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3476DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI3476DV-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 4,6 A (Tc) 2W (Ta), 3,6W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7.5 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 195 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 3,6W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,6 A (Tc)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI3476
Rds On (max.) à Id, Vgs 93mohms à 3,5A, 10V

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