


SI3585CDV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3585CDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 3,9 A, 2,1 A 1,4W, 1,3W Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3585CDV-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 2,5A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4,8nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1,4W, 1,3W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 6-TSOP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A, 2,1 A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.68000 | Fr. 0.68 |
| 10 | Fr. 0.42100 | Fr. 4.21 |
| 100 | Fr. 0.27180 | Fr. 27.18 |
| 500 | Fr. 0.20772 | Fr. 103.86 |
| 1’000 | Fr. 0.18706 | Fr. 187.06 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.16079 | Fr. 482.37 |
| 6’000 | Fr. 0.14755 | Fr. 885.30 |
| 9’000 | Fr. 0.14081 | Fr. 1’267.29 |
| 15’000 | Fr. 0.13323 | Fr. 1’998.45 |
| 21’000 | Fr. 0.12875 | Fr. 2’703.75 |
| 30’000 | Fr. 0.12439 | Fr. 3’731.70 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.68000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.73508 |











