SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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SI4567DY-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI4567DY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4567DY-T1-E3
Description	MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 5 A, 4,4 A 2,75W, 2,95W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4567DY-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A, 4,4 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	60mohms à 4,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	355pF à 20V
Puissance - Max.	2,75W, 2,95W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4567