
SI4599DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4599DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 6,8 A, 5,8 A 3W, 3,1W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4599DY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6,8 A, 5,8 A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 35,5mohms à 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 20nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 640pF à 20V | |
Puissance - Max. | 3W, 3,1W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.92000 | Fr. 0.92 |
| 10 | Fr. 0.65000 | Fr. 6.50 |
| 100 | Fr. 0.43020 | Fr. 43.02 |
| 500 | Fr. 0.33514 | Fr. 167.57 |
| 1’000 | Fr. 0.30455 | Fr. 304.55 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.24970 | Fr. 624.25 |
| 5’000 | Fr. 0.24317 | Fr. 1’215.85 |
| 7’500 | Fr. 0.23868 | Fr. 1’790.10 |
| 12’500 | Fr. 0.23000 | Fr. 2’875.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.92000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.99452 |




