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Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.70381
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SI9407BDY-T1-GE3
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SI4626ADY-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI4626ADY-T1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI4626ADY-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,3mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5370 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base
SI4626
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2’500Fr. 0.70381Fr. 1’759.53
5’000Fr. 0.70000Fr. 3’500.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.70381
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.76082