
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4925DDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8A 5W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4925DDY-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 29mohms à 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 50nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1350pF à 15V | |
Puissance - Max. | 5W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
| 10 | Fr. 0.76400 | Fr. 7.64 |
| 100 | Fr. 0.50830 | Fr. 50.83 |
| 500 | Fr. 0.39870 | Fr. 199.35 |
| 1’000 | Fr. 0.36343 | Fr. 363.43 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32524 | Fr. 813.10 |
| 5’000 | Fr. 0.31257 | Fr. 1’562.85 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.21000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.30801 |











