SI5415AEDU-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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Vishay Siliconix

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Prix unitaire : Fr. 0.39000

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SI5415AEDU-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI5415AEDU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI5415AEDU-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 25 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface PowerPAK® ChipFet simple
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,6mohms à 10A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	120 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4300 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,1W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® ChipFet simple
Boîtier	PowerPAK® ChipFET™ simple
Numéro de produit de base	SI5415