Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.09181 CHF
Availability: InStock

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SI5515CDC-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI5515CDC-T1-GE3
Description	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 4A 3,1W Montage en surface 1206-8 ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI5515CDC-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 6A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11,3nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 632pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 3,1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A	Numéro de produit de base SI5515

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 48’567

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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