
SI5515CDC-T1-GE3 | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5515CDC-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 4A 3,1W Montage en surface 1206-8 ChipFET™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI5515CDC-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 4A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 36mohms à 6A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 800mV à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11,3nC à 5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 632pF à 10V | |
Puissance - Max. | 3,1W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SMD, broches plates | |
Boîtier fournisseur | 1206-8 ChipFET™ | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
10 | Fr. 0.60900 | Fr. 6.09 |
100 | Fr. 0.40090 | Fr. 40.09 |
500 | Fr. 0.31146 | Fr. 155.73 |
1’000 | Fr. 0.28266 | Fr. 282.66 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.24608 | Fr. 738.24 |
6’000 | Fr. 0.22767 | Fr. 1’366.02 |
9’000 | Fr. 0.21829 | Fr. 1’964.61 |
15’000 | Fr. 0.21080 | Fr. 3’162.00 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.97000 |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.04857 |