SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

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SI5517DU-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI5517DU-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI5517DU-T1-E3
Description	MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6A 8,3W Montage en surface PowerPAK® ChipFet double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI5517DU-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6A
Rds On (max.) à Id, Vgs	39mohms à 4,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16nC à 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	520pF à 10V
Puissance - Max.	8,3W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	PowerPAK® ChipFET™ double
Boîtier fournisseur	PowerPAK® ChipFet double
Numéro de produit de base	SI5517