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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7252DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 36,7A 46W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7252DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 15A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1170pF à 50V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 46W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36,7A | Numéro de produit de base |
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Ressources supplémentaires
En stock: 17’204
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.41000 | Fr. 2.41 |
| 10 | Fr. 1.56600 | Fr. 15.66 |
| 100 | Fr. 1.08000 | Fr. 108.00 |
| 500 | Fr. 0.87228 | Fr. 436.14 |
| 1’000 | Fr. 0.83431 | Fr. 834.31 |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.72082 | Fr. 2’162.46 |
| 6’000 | Fr. 0.68163 | Fr. 4’089.78 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.41000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.60521 |
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