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SIR401DP-T1-GE3
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SI7370ADP-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI7370ADP-T1-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI7370ADP-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 50 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2850 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SI7370
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