SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

SI7459DP-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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SI7459DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7459DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7459DP-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 13 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8mohms à 22A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7459