Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.52406 CHF
Availability: InStock

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SI7942DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7942DP-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 3,8 A 1,4W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7942DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 49mohms à 5,9A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,4W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Tension drain-source (Vdss) 100V	Numéro de produit de base SI7942
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,8 A