
SI7972DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7972DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 8 A (Tc) 22W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7972DP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 18mohms à 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,7V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11nC à 4,5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1050pF à 30V | |
Puissance - Max. | 22W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | Fr. 1.03000 | Fr. 1.03 |
10 | Fr. 0.73800 | Fr. 7.38 |
100 | Fr. 0.55520 | Fr. 55.52 |
500 | Fr. 0.43704 | Fr. 218.52 |
1’000 | Fr. 0.39902 | Fr. 399.02 |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.35074 | Fr. 1’052.22 |
6’000 | Fr. 0.32645 | Fr. 1’958.70 |
9’000 | Fr. 0.31987 | Fr. 2’878.83 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.03000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.11343 |