Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.58374 CHF
Availability: InStock

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SI8812DB-T2-E1
Numéro de produit DigiKey	SI8812DB-T2-E1TR-ND - Bande et bobine SI8812DB-T2-E1CT-ND - Bande coupée (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI8812DB-T2-E1
Description	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface 4-Microfoot
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI8812DB-T2-E1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	59mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±5V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-Microfoot
Boîtier	4-UFBGA
Numéro de produit de base	SI8812

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