Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.60536 CHF
Availability: OutOfStock

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SI8819EDB-T2-E1
Numéro de produit DigiKey	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Bande et bobine SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Bande coupée (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI8819EDB-T2-E1
Description	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 2,9 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 8 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 650 pF @ 6 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,9 A (Ta)	Boîtier fournisseur 4-MICRO FOOT® (0.80x0.80)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 3,7V	Boîtier 4-XFBGA
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 1,5A, 3,7V	Numéro de produit de base SI8819

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