SIA911DJ-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
SIA527DJ-T1-GE3
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SIA911DJ-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SIA911DJ-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIA911DJ-T1-E3
Description
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 4,5A 6,5W Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 double
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs
94mohms à 2,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12,8nC à 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
355pF à 10V
Puissance - Max.
6,5W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
PowerPAK® SC-70-6 double
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 double
Numéro de produit de base
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Obsolète
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