Name: SIDR608DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR608DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.37272 CHF
Availability: InStock

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SIDR608DP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIDR608DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIDR608DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIDR608DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR608DP-T1-RE3
Description	MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 45 V 51A (Ta), 208A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 167 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) +20V, -16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8900 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 45 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8DC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51A (Ta), 208A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SIDR608
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 5’381

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3’000	Fr. 0.97609	Fr. 2’928.27
6’000	Fr. 0.96216	Fr. 5’772.96

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 3.12000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 3.37272

SIDR608DP-T1-RE3