Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.8106 CHF
Availability: InStock

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SIDR626DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR626DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 42,8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	42,8 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5130 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8DC
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIDR626