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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 1’487
Prix unitaire : Fr. 4.20000
Fiche technique

Similaire

IXKC15N60C5
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.56700

Similaire

IXKC20N60C
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000

Similaire

R6020ENX
Rohm Semiconductor
En stock: 462
Prix unitaire : Fr. 3.37000
Fiche technique

Similaire

R6020KNX
Rohm Semiconductor
En stock: 247
Prix unitaire : Fr. 3.02000
Fiche technique

Similaire

R6024ENX
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 3.81000
Fiche technique

Similaire

R6024KNX
Rohm Semiconductor
En stock: 291
Prix unitaire : Fr. 2.54000
Fiche technique

Similaire

STF24N60DM2
STMicroelectronics
En stock: 761
Prix unitaire : Fr. 2.72000
Fiche technique

Similaire

STF25N60M2-EP
STMicroelectronics
En stock: 1’006
Prix unitaire : Fr. 2.08000
Fiche technique

Similaire

TSM60NE145CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 2’000
Prix unitaire : Fr. 4.05000
Fiche technique

Similaire

TSM60NE180CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 2’000
Prix unitaire : Fr. 3.83000
Fiche technique

Similaire

TSM60NE200CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 2’000
Prix unitaire : Fr. 3.86000
Fiche technique

Similaire

TSM60NE285CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 2’000
Prix unitaire : Fr. 3.27000
Fiche technique
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SIHA22N60EL-E3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIHA22N60E-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHA22N60E-E3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHA22N60E-E3
Description
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHA22N60E-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1920 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHA22
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 3.87000Fr. 3.87
50Fr. 2.00320Fr. 100.16
100Fr. 1.82280Fr. 182.28
500Fr. 1.50686Fr. 753.43
1’000Fr. 1.46607Fr. 1’466.07
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 3.87000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 4.18347