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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHA24N65EF-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHA24N65EF-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA24N65EF-E3 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 24 A (Tc) 39W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 122 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2774 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 39W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 12A, 10V |
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Substituts (14)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF190N60E | onsemi | 0 | FCPF190N60EOS-ND | Fr. 4.48000 | Similaire |
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R165CPXKSA1-ND | Fr. 1.82580 | Similaire |
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | 242 | R6020ENX-ND | Fr. 4.05000 | Similaire |
| R6030MNX | Rohm Semiconductor | 0 | R6030MNX-ND | Fr. 3.32310 | Similaire |
| STF21N65M5 | STMicroelectronics | 304 | 497-11393-5-ND | Fr. 5.10000 | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.52528 | Fr. 2’525.28 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.52528 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.72983 |
