Name: SIHA6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA6N65E-GE3TR-ND
Price: 2.49711 CHF
Availability: InStock

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SIHA6N65E-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHA6N65E-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHA6N65E-GE3
Description	N-CHANNEL 650V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série E	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

En stock: 1’990

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1’000	Fr. 0.79178	Fr. 791.78

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 2.31000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 2.49711

SIHA6N65E-GE3