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SQM120P04-04L_GE3
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SIHB22N60AE-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB22N60AE-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHB22N60AE-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHB22N60AE-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
E
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1451 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
179W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB22
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 1.39578Fr. 1’395.78
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.39578
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.50884