SIHB22N60ET5-GE3 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 520
Prix unitaire : Fr. 3.36000
Fiche technique

Direct

FCB20N60FTM
onsemi
En stock: 1’480
Prix unitaire : Fr. 4.82000
Fiche technique

Similaire

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
En stock: 1’137
Prix unitaire : Fr. 2.23000
Fiche technique

Similaire

IPB60R190C6ATMA1
Infineon Technologies
En stock: 3’580
Prix unitaire : Fr. 2.74000
Fiche technique

Similaire

IXFA22N65X2
IXYS
En stock: 5’379
Prix unitaire : Fr. 5.26000
Fiche technique

Similaire

IXFA24N60X
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.56090

Similaire

IXFA30N60X
IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.88850

Similaire

STB21N65M5
STMicroelectronics
En stock: 4’524
Prix unitaire : Fr. 4.21000
Fiche technique

Similaire

STB28NM60ND
STMicroelectronics
En stock: 1’427
Prix unitaire : Fr. 5.58000
Fiche technique
Afficher et comparer tous les substituts
TO-263-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N60ET5-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB22N60ET5-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHB22N60ET5-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
E
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1920 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB22
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Disponible sur commande
Vérifier le délai d'approvisionnement
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
800Fr. 1.50714Fr. 1’205.71
1’600Fr. 1.48000Fr. 2’368.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.50714
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.62922