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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB30N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB30N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB30N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2600 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 15A, 10V | Numéro de produit de base |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.61000 | Fr. 5.61 |
| 50 | Fr. 2.99540 | Fr. 149.77 |
| 100 | Fr. 2.74320 | Fr. 274.32 |
| 500 | Fr. 2.30154 | Fr. 1’150.77 |
| 1’000 | Fr. 2.15982 | Fr. 2’159.82 |
| 2’000 | Fr. 2.12278 | Fr. 4’245.56 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 5.61000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 6.06441 |
