TO-263-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB33N60EF-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHB33N60EF-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
98mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3454 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB33
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 953
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CHF
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 5.99000Fr. 5.99
10Fr. 4.17000Fr. 41.70
100Fr. 3.05220Fr. 305.22
500Fr. 2.60000Fr. 1’300.00
Prix unitaire sans TVA:Fr. 5.99000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 6.47519