Name: SIHB33N60ET5-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET5-GE3-ND
Price: 2.3782 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHB33N60ET5-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIHB33N60ET5-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHB33N60ET5-GE3
Description	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	E
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	99mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3508 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	278W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SIHB33

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