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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD6N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHD6N65E-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
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En stock: 2’752
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.95000 | Fr. 1.95 |
| 75 | Fr. 0.88947 | Fr. 66.71 |
| 150 | Fr. 0.80167 | Fr. 120.25 |
| 525 | Fr. 0.67659 | Fr. 355.21 |
| 1’050 | Fr. 0.62244 | Fr. 653.56 |
| 2’025 | Fr. 0.57911 | Fr. 1’172.70 |
| 5’025 | Fr. 0.52978 | Fr. 2’662.14 |
| 10’050 | Fr. 0.50635 | Fr. 5’088.82 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.95000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.10795 |
