Canal N 650 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
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SIHF12N65E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHF12N65E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHF12N65E-GE3
Description
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
70 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1224 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
380mohms à 6A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 868
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 2.73000Fr. 2.73
50Fr. 1.36520Fr. 68.26
100Fr. 1.23320Fr. 123.32
500Fr. 1.00146Fr. 500.73
1’000Fr. 0.92700Fr. 927.00
2’000Fr. 0.86443Fr. 1’728.86
5’000Fr. 0.80334Fr. 4’016.70
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 2.73000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 2.95113