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Fiche technique
Canal N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
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Canal N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHF540S-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHF540S-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHF540S-GE3
Description
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
31 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
72 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1700 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
3,7W (Ta), 150W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
77mohms à 17A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IRF540SPBFVishay Siliconix0IRF540SPBF-NDFr. 2.40000Équivalent paramétrique
IRF540STRLPBFVishay Siliconix0IRF540STRLPBFCT-NDFr. 3.05000Équivalent paramétrique
IRF540STRRPBFVishay Siliconix0IRF540STRRPBFCT-NDFr. 3.05000Équivalent paramétrique
SIHF540STRL-GE3Vishay Siliconix0742-SIHF540STRL-GE3TR-NDFr. 1.15048Équivalent paramétrique
Disponible sur commande
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Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1’000Fr. 0.55258Fr. 552.58
Conditionnement standard du fabricant
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