Name: SIHF9630S-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF9630S-GE3TR-ND
Price: 1.66474 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIHF9630S-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHF9630S-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHF9630S-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHF9630S-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHF9630S-GE3
Description	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 200 V 6,5 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	800mohms à 3,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	700 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SIHF9630