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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP21N80AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 235mohms à 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 32W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-220AB | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.20000 | Fr. 4.20 |
| 50 | Fr. 2.18920 | Fr. 109.46 |
| 100 | Fr. 1.99530 | Fr. 199.53 |
| 500 | Fr. 1.65548 | Fr. 827.74 |
| 1’000 | Fr. 1.56200 | Fr. 1’562.00 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 4.20000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.54020 |
Suisse