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SIHP28N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP28N65EF-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP28N65EF-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 28 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP28N65EF-GE3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 146 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3249 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 117mohms à 14A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | Fr. 5.17000 | Similaire |
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND | Fr. 5.62000 | Similaire |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPP60R099CPXKSA1-ND | Fr. 7.16000 | Similaire |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15561-5-ND | Fr. 5.09000 | Similaire |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25E60XS1X-ND | Fr. 5.13000 | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.78441 | Fr. 2’784.41 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.78441 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.00995 |
