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SIHP6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHP6N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHP6N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHP6N65E-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
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Ressources supplémentaires
Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP14N60P | IXYS | 0 | IXFP14N60P-ND | Fr. 2.50597 | Similaire |
| IXTP14N60P | IXYS | 177 | IXTP14N60P-ND | Fr. 5.23000 | Similaire |
| SPA11N80C3XKSA2 | Infineon Technologies | 135 | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND | Fr. 3.17000 | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.83976 | Fr. 839.76 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.83976 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.90778 |
