
SIJ482DP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIJ482DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIJ482DP-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,7V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 71 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2425 pF @ 40 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 69,4W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,2mohms à 20A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR880DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 10’786 | SIR880DP-T1-GE3CT-ND | Fr. 2.86000 | Similaire |
| RS6N120BHTB1 | Rohm Semiconductor | 4 | 846-RS6N120BHTB1CT-ND | Fr. 3.02000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.11000 | Fr. 2.11 |
| 10 | Fr. 1.35700 | Fr. 13.57 |
| 100 | Fr. 0.92870 | Fr. 92.87 |
| 500 | Fr. 0.74546 | Fr. 372.73 |
| 1’000 | Fr. 0.69128 | Fr. 691.28 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.61174 | Fr. 1’835.22 |
| 6’000 | Fr. 0.57413 | Fr. 3’444.78 |
| 9’000 | Fr. 0.56478 | Fr. 5’083.02 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.11000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.28091 |

